利用eGaN FET实现高功率密度电源转换器

本文表明,在48V至12V电源转换器中,GaN FET可以实现像采用48V架构数据中心所需的前所未有的功率密度(>4kW/吋3)。需要特别指出的是,采用芯片级封装(例如eGaN晶体管封装)的GaN技术与精心设计的磁性器件的完美组合,可以在1MHz频率下实现1kW的负载能力,并且峰值效率和满载...

关于如何在不同接口中调用Callback功能,可参考《杉数求解器用户手册》中相应章节的介绍以及各API函数说明。访问杉数教学平台即可查看完整TSP案例分析和代码实现,COPT安装包examples目录...

导入素材,点击裁剪的按钮,一般在素材的右下角位置。 进入裁剪编辑窗口,点击设置各种的参数,比如移动,旋转,缩放等等。 设置好之后,先在上方空白处填写名称,再点击右侧的保存按钮。 这样...

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