观察者网·大橘财经讯(文/吕栋 编辑/周远方)历时近4个月,晶瑞股份从韩国进口的二手ASML浸没式光刻机终于到货,“可用于研发最高分辨率达28nm的高端光刻胶”。 受此影响,创业板上市的晶瑞...
国产光刻机核心技术再迎突破,哈工大成功研制出了高速超精密激光干涉仪,目前可用于350nm到28nm工艺的光刻机样机集成研制和性能测试,意味着我们离光刻机又近了一步。 要想发展半导体,光刻...
的光源通过水介质折射后进一步缩短,而将193nm的光源通过水介质折射后用于生产28nm、14nm的光源原理应该类似,近期就有业界人士传出国产的光源技术已成功取得突破,将光源缩短到13.5nm,如...
据业内媒体消息披露,上海微电子将于2021年-2022年交付第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。这意味着我国的先进光刻机已经实现了技术突破,但可以实现更高制程的EUV光刻机仍然任重而道远。
所以说,不是中芯7nm芯片和新一代国产光刻机没有消息,可能是有消息,只是没有对外公布而言,或许现在还不是公布的时候。 只有彻底掌握了7nm工艺,或者完全建成了国产28nm芯片生产线,这才是最佳的公布时间。
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