General Description The AO3401A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and …
AO3401A的封装规格是配置单路，阈值电压为Vgs (th)1.3V@250µA，漏极电流为Idss4A，晶体管类型为P沟道，功率耗散为1.4W，充电电量 …
23 行 · 功率耗散（最大值） 1.4W（Ta） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
Part #: AO3401A. Download. File Size: 127Kbytes. Page: 4 Pages. Description: P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor. …
配置 ： 单路 阈值电压 ： 1.3V@250µA 漏极电流 ： 4A 晶体管类型 ： P沟道 功率耗散 ： 1.4W
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